NTH4L032N065M3S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流（ID）為99A，漏源擊穿電壓（VDSS）達650V，導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件結合碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高密度電力電子裝置。
