AMR027V065H2-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為26mΩ，柵源驅動電壓（VGS）范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓與大電流條件下仍能維持較低的導通損耗和優異的開關性能，適用于高頻電源轉換、可再生能源系統及高效率電力電子設備等場景，滿足對緊湊布局與熱管理有較高要求的應用需求。
