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IPW65R040CM8XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:44mR 參數4:VGS:-8/+20V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力,漏源電壓額定值為650V,導通電阻典型值為44mΩ,柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。憑借碳化硅材料的高熱導率與低開關損耗特性,器件適用于高頻、高效率的功率轉換系統,如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備中的直流-交流或直流-直流變換環節,在嚴苛電氣環境下仍能維持穩定運行。

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