IPW65R048CFDAFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的漏極電流額定值和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為58mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與優(yōu)異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統(tǒng)及高功率密度電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時在高溫或高頻率條件下仍能保持穩(wěn)定性能。
