NTTFS4939NTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至4毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效，并減少散熱需求。適用于高效率電源轉換、大電流開關電路及電池供電系統等場合，在高頻或持續高負載條件下仍能保持穩定可靠的電氣性能。
