SIHD5N50D-E3-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關(guān)場景，其N溝道結(jié)構(gòu)支持高效控制與較低的驅(qū)動損耗，在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及各類電子負載開關(guān)等應(yīng)用中可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。參數(shù)特性使其在兼顧耐壓能力的同時，滿足對導(dǎo)通效率有一定要求的電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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