BSC070N10NS5ATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在高電流條件下顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效，并改善熱管理表現(xiàn)。器件適用于對(duì)功率密度和效率要求較高的開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電系統(tǒng)及各類高電流電子負(fù)載控制場(chǎng)合，能夠支持快速開關(guān)動(dòng)作并維持穩(wěn)定的工作特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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