FQP90N10V2-HXY_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為70A，漏源擊穿電壓為100V，導(dǎo)通電阻為8.5毫歐，最大柵源電壓為20V。器件在高電流條件下仍能維持較低的導(dǎo)通損耗，適用于對效率和熱性能有要求的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)電路等應(yīng)用。其電氣參數(shù)支持穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作，適合在緊湊型功率系統(tǒng)中使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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