SI7460DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。器件在高電流工作條件下仍能維持較低的導(dǎo)通壓降，適用于電源管理、電機控制及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗與溫升，提升系統(tǒng)運行效率，同時支持快速開關(guān)特性，適合對體積與熱性能有較高要求的電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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