IXFY8N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:9.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為9.3A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為410mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有較高的耐壓能力和良好的開關(guān)性能，適用于中低功率的高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其較寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍增強(qiáng)了與不同驅(qū)動(dòng)電路的適配性，而明確的電氣參數(shù)有助于在緊湊型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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