CSD19533KCS-HXY_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備70A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源驅(qū)動電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，配合較高的電流與電壓額定值，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機控制及開關(guān)電源等場景。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合對功率密度和能效有較高要求的應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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