DMTH10H009SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐，在柵源電壓（VGS）達(dá)20V時(shí)可確保充分導(dǎo)通。其高電流承載能力與低導(dǎo)通損耗特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及大電流開關(guān)電路等場合。器件在高頻操作下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)性能，適合對功率密度和能效有較高要求的應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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