TPD65R360M_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的高擊穿場強和優(yōu)異熱導率，器件在高頻開關應用中可顯著降低導通及開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統(tǒng)。其負向柵壓容限有助于增強關斷可靠性，提升在復雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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