NDD05N50ZT4G-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300mΩ。器件在高耐壓條件下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能，適用于對(duì)電壓裕量要求較高的中小功率電子電路。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)、家用電器控制模塊以及各類需要高側(cè)或低側(cè)開(kāi)關(guān)功能的電子裝置。其參數(shù)組合兼顧了耐壓能力與導(dǎo)通特性，適合在有限散熱條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
