RM12N650LD_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續(xù)電流為15A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V?；谔蓟璨牧咸匦裕骷诟哳l開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及各類對(duì)體積與能效有較高要求的電力電子應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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