TPD65R380C_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻工作狀態(tài)下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源、服務(wù)器供電系統(tǒng)、光伏逆變及儲能設(shè)備中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)，其負(fù)壓關(guān)斷能力有助于提升開關(guān)可靠性與抗噪性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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