PJMF280N65E1_T0_00001_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為15A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍VGS為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高電壓工作條件下具備較低的導通損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高頻開關(guān)電源、高效電能轉(zhuǎn)換及對系統(tǒng)效率要求較高的電力電子應(yīng)用。其寬VGS范圍有助于適配多種驅(qū)動電路，提升運行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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