NCE65T360K_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與優(yōu)異的高頻開關特性，適用于高效率電源、通信電源、光伏逆變器及儲能轉換系統(tǒng)等場景，有助于提升整體能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
