FDS8876_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為20V。其較低的導通電阻有助于減少功率損耗，在中等電流應用中可有效提升能效并降低溫升。適用于電源轉換、便攜式設備供電管理、電機驅動及各類對體積和效率有要求的電子系統。
