FDP100N10-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備70A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，其導通電阻（RDS(ON)）典型值為8.5毫歐。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。器件適用于高電流、高頻率的開關應用，如電源管理模塊、電機控制電路及各類高效能電力電子轉換系統，能夠在嚴苛電氣條件下保持穩定工作性能。
