DMTH10H009LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有75A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻僅為6.4毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及高頻開關(guān)電路等場合，在大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)性能，滿足對緊湊布局和高功率密度有要求的電子系統(tǒng)設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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