SCT3022ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高效率的電力轉換場景中展現出較低的開關損耗與導通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電源系統。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時高耐壓與大電流能力保障了在嚴苛電氣環境下的穩定運行。
