IPP65R099C6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動兼容性，適合在高頻開關(guān)條件下穩(wěn)定運行，滿足多種電源系統(tǒng)對高性能功率開關(guān)的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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