IXTP20N65XM-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源擊穿電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，在高溫與高電壓工作環(huán)境下仍能保持良好性能。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持可靠驅動控制。采用寬禁帶半導體材料，具有低開關損耗、高開關頻率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于高壓直流電源、高效能逆變裝置、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)及高功率密度電源轉換模塊的設計與實現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
