STH65N050DM9-7AG-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為26mΩ，在高電壓工作條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，兼容多種驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的熱性能與效率，適用于對(duì)體積緊湊性及能量轉(zhuǎn)換效率有較高要求的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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