STW62N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，在-10V至@5V的柵源電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。憑借碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件在高頻、高效率應(yīng)用場景中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電力電子系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其能夠在高功率密度設(shè)計(jì)中提供可靠性能，同時(shí)支持緊湊型電路布局。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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