IPW65R041CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。其結(jié)構(gòu)利用碳化硅材料特性，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如通信電源、可再生能源并網(wǎng)設(shè)備及高密度電力電子模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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