IPW65R080CFDFKSA2-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、36A的連續(xù)漏極電流（ID）以及75mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及緊湊型電力電子設(shè)備，在提升能效和減小系統(tǒng)體積方面具有顯著優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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