SIHW22N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源電壓耐受能力達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高耐壓特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其穩定的電氣性能支持在緊湊型電力電子設備中實現高效能量管理與熱優化設計。
