FF06100G-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為37A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統中的功率調節以及對體積和散熱有嚴格要求的電力電子裝置。
