SIHH190N65E-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為800V，導(dǎo)通電阻典型值為165mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅(qū)動(dòng)條件下穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其在高頻、高壓環(huán)境中具有良好的可靠性與控制精度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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