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PSMN9R5-100PS,127_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-220C 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:ID:70A 參數(shù)2:VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:8.5mR 參數(shù)4:VGS:20V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流能力,最大漏源電壓為100V,導(dǎo)通電阻低至8.5毫歐,在柵源電壓不超過(guò)20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率,適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)特性,在保持高可靠性的同時(shí),支持快速切換操作,滿足多種電子系統(tǒng)中對(duì)高效能功率開(kāi)關(guān)的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014