TK115N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為32A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，器件在高頻開關操作中表現出較低的導通損耗和良好的熱穩定性。適用于需要高效率、高功率密度及緊湊結構的電源轉換系統，在對電氣性能和長期運行可靠性有較高要求的場合中可發揮優勢。
