IPW65R099C6FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:38A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為38A，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為95mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，適用于多種驅(qū)動(dòng)電路配置，有助于增強(qiáng)開關(guān)穩(wěn)定性并抑制誤導(dǎo)通。憑借碳化硅材料的固有優(yōu)勢(shì)，器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱性能，適合用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及對(duì)功率密度有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
