TK115U65Z5,RQ_TOLLS_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與寬帶隙特性，在高頻開關(guān)操作中保持較低損耗和良好熱穩(wěn)定性。適用于對(duì)效率、體積和熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC變換器等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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