SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:14A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:315mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為14A，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為315mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高電壓條件下實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性，同時(shí)具備良好的高溫穩(wěn)定性。其N溝道結(jié)構(gòu)與寬柵壓范圍適配多種驅(qū)動(dòng)方案，適用于對轉(zhuǎn)換效率、熱管理和開關(guān)頻率有較高要求的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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