STP38N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，器件在高頻開關條件下仍能維持較低的導通與開關損耗。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的適應性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類中高功率電子設備中的功率開關環節。
