TK110N65Z,S1F_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有32A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低RDS(ON)有助于減小導(dǎo)通功耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)寬VGS耐壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)兼容性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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