STW40N65M2-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:38A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET支持38A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻為95mΩ，在柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍-8V至@0V內(nèi)可靠運(yùn)行。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及各類緊湊型電力電子裝置中，有助于提升整體能效并減少熱管理負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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