IPP60R125CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導(dǎo)通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場景，如服務(wù)器供電、通信電源、光伏逆變器及高密度電力電子模塊，在提升系統(tǒng)效率的同時支持緊湊型設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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