TK090A65Z,S4X_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有18A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高效率應(yīng)用場景中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其能夠在緊湊型設(shè)計中實現(xiàn)可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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