IPL65R065CFD7AUMA1_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:68A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備68A的連續(xù)漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為45mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于對(duì)體積與熱管理有較高要求的電力電子應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
