SIHG64N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為55A，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為58mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源、可再生能源接入設(shè)備及高功率密度的電力電子系統(tǒng)。其低RDS(on)有助于降低導(dǎo)通階段的功率耗散，而寬VGS范圍則增強了與多種驅(qū)動電路的兼容性，提升系統(tǒng)運行的可靠性與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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