SPA15N60CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)9A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為320mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍（VGS）為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備較低的導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及緊湊型電力電子設(shè)備，在高溫或高頻率工作條件下仍能保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
