IXTP12N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃環(huán)境下可承載9A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為320mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，確保在多種驅(qū)動條件下穩(wěn)定運(yùn)行。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于對能效和緊湊布局有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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