SIHG28N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有32A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能變換器等場景，在提升功率密度和系統效率方面具備顯著優勢。
