IPP65R190E6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為20A，漏源擊穿電壓達800V，導(dǎo)通電阻典型值為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其寬柵壓范圍增強了驅(qū)動兼容性，同時N溝道結(jié)構(gòu)便于實現(xiàn)高效開關(guān)控制，在高頻運行條件下仍能保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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