DMT67M8LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET支持100A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為60V，導(dǎo)通電阻僅為3.7毫歐，具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能。低導(dǎo)通電阻有效降低功率損耗，提升整體能效，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機控制及開關(guān)電源等應(yīng)用。器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持穩(wěn)定的電氣特性，適合對熱管理和動態(tài)響應(yīng)有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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