BSC059N03S G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ。其極低的導通電阻顯著減少導通損耗，適用于大電流、高效率的電源轉換、電池充放電控制及各類中低電壓功率開關電路。器件具備優異的熱穩定性和開關響應能力，適合對功率密度與能效有嚴苛要求的應用環境。
