MJF11N65_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源、光伏逆變系統及小型化電力轉換裝置。其寬柵壓范圍有助于提升驅動電路的適配靈活性。
